APT1201R5BVFRG

APT1201R5BVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)


Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT1201R5BVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A, Technology: POWER MOS 5®, Mounting: THT, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 285nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 40A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 10A, On-state resistance: 1.5Ω, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT1201R5BVFRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT1201R5BVFRG Виробник : Microsemi MOSFET Power FREDFET - MOS5
товар відсутній
APT1201R5BVFRG APT1201R5BVFRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
товар відсутній