AS6C8016B-45BIN Alliance Memory, Inc.
Виробник: Alliance Memory, Inc.Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 447.75 грн |
| 10+ | 393.54 грн |
| 25+ | 386.02 грн |
| 40+ | 359.67 грн |
| 80+ | 322.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C8016B-45BIN Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції AS6C8016B-45BIN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AS6C8016B-45BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TFBGA48; 8MbSRAM Mounting: SMD Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 45ns Type of integrated circuit: SRAM memory Integrated circuit features: LPC Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Case: TFBGA48 Kind of memory: asynchronous; SRAM кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
||
| AS6C8016B-45BIN | Виробник : Alliance Memory |
SRAM |
товар відсутній |
||
| AS6C8016B-45BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TFBGA48; 8MbSRAM Mounting: SMD Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 45ns Type of integrated circuit: SRAM memory Integrated circuit features: LPC Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Case: TFBGA48 Kind of memory: asynchronous; SRAM |
товар відсутній |