AS6C8016B-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48; 8MbSRAM
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 55ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Integrated circuit features: LPC
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Case: TFBGA48
Kind of memory: asynchronous; SRAM
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C8016B-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48; 8MbSRAM, Mounting: SMD, Operating voltage: 2.7...3.6V, Access time: 55ns, Type of integrated circuit: SRAM memory, Integrated circuit features: LPC, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Case: TFBGA48, Kind of memory: asynchronous; SRAM, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції AS6C8016B-55BINTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AS6C8016B-55BINTR | Виробник : Alliance Memory, Inc. | Description: IC SRAM 8MB PARALLEL 48FPBGA |
товар відсутній |
||
| AS6C8016B-55BINTR | Виробник : Alliance Memory |
SRAM |
товар відсутній |
||
| AS6C8016B-55BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48; 8MbSRAM Mounting: SMD Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 55ns Type of integrated circuit: SRAM memory Integrated circuit features: LPC Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Case: TFBGA48 Kind of memory: asynchronous; SRAM |
товар відсутній |