AS6C8016B-55ZINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils; 8MbSRAM
Mounting: SMD
Operating voltage: 3V
Access time: 55ns
IC width: 400mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Integrated circuit features: LPC
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Case: TSOP44 II
Kind of memory: asynchronous; SRAM
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils; 8MbSRAM
Mounting: SMD
Operating voltage: 3V
Access time: 55ns
IC width: 400mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Integrated circuit features: LPC
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Case: TSOP44 II
Kind of memory: asynchronous; SRAM
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C8016B-55ZINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils; 8MbSRAM, Mounting: SMD, Operating voltage: 3V, Access time: 55ns, IC width: 400mils, Type of integrated circuit: SRAM memory, Integrated circuit features: LPC, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Case: TSOP44 II, Kind of memory: asynchronous; SRAM, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції AS6C8016B-55ZINTR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AS6C8016B-55ZINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 512kx16bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils; 8MbSRAM Mounting: SMD Operating voltage: 3V Access time: 55ns IC width: 400mils Type of integrated circuit: SRAM memory Integrated circuit features: LPC Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Case: TSOP44 II Kind of memory: asynchronous; SRAM |
товар відсутній |