AS6CE4016B-45BIN Alliance Memory, Inc.
Виробник: Alliance Memory, Inc.Description: 2.7V~3.6V 4MB (X16) LP SRAM, 45N
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 502.64 грн |
| 10+ | 445.21 грн |
| 25+ | 435.98 грн |
| 40+ | 407.73 грн |
| 80+ | 365.85 грн |
| 230+ | 354.79 грн |
| 480+ | 331.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6CE4016B-45BIN Alliance Memory, Inc.
Description: 2.7V~3.6V 4MB (X16) LP SRAM, 45N, Packaging: Tray, Package / Case: 48-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 256K x 16.
Інші пропозиції AS6CE4016B-45BIN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AS6CE4016B-45BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TFBGA48 Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 45s Integrated circuit features: LPC Kind of package: in-tray Memory: 4Mb SRAM Case: TFBGA48 Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||
| AS6CE4016B-45BIN | Виробник : Alliance Memory |
DRAM |
товар відсутній |
||
| AS6CE4016B-45BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TFBGA48 Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 45s Integrated circuit features: LPC Kind of package: in-tray Memory: 4Mb SRAM Case: TFBGA48 Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |