AUIRF3805L-7P INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; TO263CA-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: TO263CA-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; TO263CA-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: TO263CA-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF3805L-7P INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-7, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRF3805L-7P за ціною від 154.81 грн до 176.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRF3805L-7P | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; TO263CA-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: TO263CA-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||
AUIRF3805L-7P | Виробник : Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||
AUIRF3805L-7P | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 240A Automotive Tube |
товар відсутній |
||||||||
AUIRF3805L-7P | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V |
товар відсутній |