B1D10065H

B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR


B1D10065H.pdf Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.29 грн
5+ 127.96 грн
9+ 102.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Power dissipation: 68W, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 75A, Max. forward voltage: 1.75V, Leakage current: 20µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції B1D10065H за ціною від 112.15 грн до 183.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
B1D10065H B1D10065H Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.95 грн
5+ 159.46 грн
9+ 123.36 грн
23+ 116.46 грн
150+ 113.87 грн
600+ 112.15 грн
Мінімальне замовлення: 2