B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1059.92 грн |
3+ | 931.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Gate charge: 149nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 80A, Mounting: THT, Case: TO247-4, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 27A, On-state resistance: 80mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 241W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1M080120HK за ціною від 1073.38 грн до 1271.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B1M080120HK | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|