Продукція > INFINEON > BCR116L3 E6327

BCR116L3 E6327 INFINEON


Виробник: INFINEON
BGA-WG PB-FREE
на замовлення 180000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR116L3 E6327 INFINEON

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR116L3 E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR 116L3 E6327 BCR 116L3 E6327 Виробник : Infineon Technologies BCR116 (2006).pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
BCR 116L3 E6327 Виробник : Infineon Technologies BCR116 (2006).pdf Infineon
товар відсутній