BCR141TE6327

BCR141TE6327 Infineon Technologies


INFNS11720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 15000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR141TE6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 130 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BCR141TE6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR141T E6327 Виробник : INFINEON SOT423-WD PB-FRE
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BCR 141T E6327 BCR 141T E6327 Виробник : Infineon Technologies BCR141 (2006).pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній