Продукція > INFINEON > BCR169F E6327

BCR169F E6327 INFINEON

Виробник: INFINEON
SOT523-WS PB-FRE
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR169F E6327 INFINEON

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-TSFP-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції BCR169F E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR 169F E6327 BCR 169F E6327 Виробник : Infineon Technologies bcr169series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a373011440313bb302d1 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товар відсутній