Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR196WE6327
BCR196WE6327

BCR196WE6327 Infineon Technologies

INFNS11619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 15000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR196WE6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції BCR196WE6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR 196W E6327 Виробник : Infineon Technologies bcr196series-337007.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR
товар відсутній