BCR08PN Diotec Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR08PN Diotec Semiconductor
Description: Biased BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції BCR08PN за ціною від 2.41 грн до 50.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR08PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA |
на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCR08PN | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT363 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 170MHz Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.25W Type of transistor: NPN / PNP |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR08PN | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT363 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 170MHz Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.25W Type of transistor: NPN / PNP кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BCR08PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: DIGITAL TR,SOT-363,50V,100MA Packaging: Strip Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BCR08PN | Виробник : Diotec Semiconductor AG |
Description: Biased BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BCR08PN | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased |
товар відсутній |