Продукція > INFINEON > BCR108W E6327

BCR108W E6327 Infineon


Виробник: Infineon
NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k BCR108W TBCR108w
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR108W E6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 170 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR108W E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR108WE6327 BCR108WE6327 Виробник : Infineon Technologies bcr108series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BCR108WE6327 BCR108WE6327 Виробник : Infineon Technologies SIEMD095-587.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній