BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 4.28 грн |
| 100+ | 3.5 грн |
| 301+ | 2.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCR112E6327HTSA1 за ціною від 1.94 грн до 26.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 425 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 759000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 61250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 61250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 759314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 29949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112 кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 11750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|