BCR129SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3796+ | 5.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR129SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Last Time Buy.
Інші пропозиції BCR129SH6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR129SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BCR129SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BCR129SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BCR129SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
товар відсутній |