BD22621G-MTR Rohm Semiconductor
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.17 грн |
| 10+ | 90.8 грн |
| 25+ | 86.18 грн |
| 100+ | 66.45 грн |
| 250+ | 62.11 грн |
| 500+ | 54.89 грн |
| 1000+ | 42.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD22621G-MTR Rohm Semiconductor
Power Switch ICs - Power Distribution BD22621G-M is a low on-resistance N-channel MOSFET high-side power switch, optimized for Universal Serial Bus (USB) applications. BD22621G-M is equipped with the function of over-current detection, thermal shutdown, u.
Інші пропозиції BD22621G-MTR за ціною від 45.62 грн до 115.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD22621G-MTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
 Power Switch ICs - Power Distribution BD22621G-M is a low on-resistance N-channel MOSFET high-side power switch, optimized for Universal Serial Bus (USB) applications. BD22621G-M is equipped with the function of over-current detection, thermal shutdown, u |
на замовлення 2023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD22621G-MTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 5SSOP |
товар відсутній |