BD237STU

BD237STU ON Semiconductor / Fairchild


BD237-D-1802412.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD237STU ON Semiconductor / Fairchild

Description: TRANS NPN 80V 2A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.

Інші пропозиції BD237STU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD237STU BD237STU Виробник : ON Semiconductor 3674946866816610bd233.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
BD237STU Виробник : ON Semiconductor 3674946866816610bd233.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
BD237STU BD237STU Виробник : onsemi Description: TRANS NPN 80V 2A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній