BD239ATU ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD239ATU ON Semiconductor / Fairchild
Description: TRANS NPN 60V 2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції BD239ATU за ціною від 16.29 грн до 16.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD239ATU | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD239ATU - BD239ATU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BD239ATU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 70V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
BD239ATU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 30 W |
товар відсутній |