BD239CTU

BD239CTU ON Semiconductor


3650222351752895bd239b.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 41
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD239CTU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції BD239CTU за ціною від 21.58 грн до 59.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD239CTU BD239CTU Виробник : onsemi / Fairchild BD239C_D-2310371.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.6 грн
10+ 31.02 грн
100+ 22.64 грн
500+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD239CTU BD239CTU Виробник : onsemi bd239c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.07 грн
50+ 45.89 грн
100+ 36.37 грн
500+ 28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor 3650222351752895bd239b.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD239CTU Виробник : ONSEMI product.do?id=BD239CTU Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor 3650222351752895bd239b.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BD239CTU BD239CTU Виробник : ONSEMI BD239x.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 40
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BD239CTU BD239CTU Виробник : ONSEMI BD239x.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 40
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
товар відсутній