BD243B onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
Description: TRANS NPN 80V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 15.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD243B onsemi
Description: TRANS NPN 80V 6A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 65 W.
Інші пропозиції BD243B за ціною від 12.1 грн до 21.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD243B | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 6A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BD243B | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 6A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
BD243B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD243B - TRANSISTOR, NPN TO-220 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BD243B | Виробник : ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BD243B | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 6A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товар відсутній |
||||||||
BD243B | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 6A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товар відсутній |
||||||||
BD243B | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 6A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 65 W |
товар відсутній |
||||||||
BD243B | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
товар відсутній |
||||||||
BD243B | Виробник : Bourns | Bipolar Transistors - BJT 65W NPN Silicon |
товар відсутній |