BD244B ON Semiconductor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD244B ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 65 W.
Інші пропозиції BD244B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BD244B |
 |
на замовлення 16348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
BD244B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 6A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товар відсутній |
|
| BD244B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 6A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товар відсутній |
||
 |
BD244B | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 65 W |
товар відсутній |
|
 |
BD244B | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
товар відсутній |
|
|
|
BD244B | Виробник : Bourns |
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon |
товар відсутній |
|
|
|
BD244B | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
товар відсутній |