BD434S ON Semiconductor
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 7.88 грн |
| 86+ | 6.78 грн |
| 100+ | 6.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD434S ON Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 22, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 22 V, Power - Max: 36 W.
Інші пропозиції BD434S за ціною від 8.49 грн до 20.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD434S | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
на замовлення 3785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BD434S | Виробник : onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 22 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 22 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 26375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BD434S | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 22 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 22 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BD434S | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 1573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| BD434S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD434S - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 22V, 4A-TO126 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 26375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BD434S |
|
на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
 |
BD434S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |
|||||
|
|
BD434S | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 22V 4A TO126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 22 V Power - Max: 36 W |
товар відсутній |