BD435S ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD435S ON Semiconductor / Fairchild
Description: TRANS NPN 32V 4A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 36 W.
Інші пропозиції BD435S за ціною від 16.3 грн до 16.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD435S | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD435S - BD435S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BD435S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |
|||||
 |
BD435S | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 4A TO126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 36 W |
товар відсутній |