BD439G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 61.72 грн |
| 14+ | 54.98 грн |
| 100+ | 39.49 грн |
| 500+ | 31.72 грн |
| 1000+ | 21.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD439G ONSEMI
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD439G за ціною від 24.17 грн до 126.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD439G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO225 Mounting: THT Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 40...475 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 36W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Case: TO225 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD439G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO225 Mounting: THT Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 40...475 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 36W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Case: TO225 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |