BD809


ONSMS25401-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник:

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD809

Description: TRANS NPN 80V 10A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 1.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.

Інші пропозиції BD809

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD809 Виробник : ONSEMI ONSMS25401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD809 - TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD809 Виробник : onsemi ONSMS25401-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
товар відсутній
BD809 BD809 Виробник : onsemi BD809_D-2310515.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN
товар відсутній