Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD809G
BD809G

BD809G ON Semiconductor

bd809-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+45.38 грн
25+ 44.16 грн
50+ 41.98 грн
100+ 37.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD809G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 1.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.

Інші пропозиції BD809G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD809G
Код товару: 164130 		bd809-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BD809G BD809G Виробник : ON Semiconductor bd809-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
BD809G BD809G Виробник : onsemi bd809-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
товар відсутній
BD809G BD809G Виробник : onsemi BD809_D-2310515.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN
товар відсутній