BF998E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.92 грн |
| 11+ | 29.79 грн |
| 100+ | 17.36 грн |
| 1000+ | 11.82 грн |
| 3000+ | 10.01 грн |
| 9000+ | 9.01 грн |
| 24000+ | 8.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF998E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BF998E6327HTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF FET N-CH 12V 0.03A Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
BF998E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
BF998E6327HTSA1 Код товару: 186408 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||
 |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF FET N-CH 12V 0.03A Automotive 4-Pin SOT-143 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF FET N-CH 12V 0.03A Automotive 4-Pin SOT-143 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF MOSFET 8V SOT143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 28dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.8dB Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |
|
|
|
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF MOSFET 8V SOT143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 28dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.8dB Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |