Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFN38H6327XTSA1

BFN38H6327XTSA1 Infineon Technologies

Name: BFN38H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 11512235-3
Price: 14.44 UAH
Availability: InStock

bfn38.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449b536510236

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 187888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1490+	14.44 грн

Мінімальне замовлення: 1490

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BFN38H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції BFN38H6327XTSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
BFN38H6327XTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans GP BJT NPN 300V 0.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	товар відсутній
BFN38H6327XTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.5 W	товар відсутній
BFN38H6327XTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS	товар відсутній