Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP 182W H6327
BFP 182W H6327

BFP 182W H6327 Infineon Technologies

INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3883+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3883
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP 182W H6327 Infineon Technologies

Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22dB, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP 182W H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP182WH6327 Виробник : Infineon technologies
на замовлення 8946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFP 182W H6327 BFP 182W H6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon_LNA_BFP182W-85430.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
товар відсутній