BFP196WNH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP196WNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 7.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFP196WNH6327XTSA1 за ціною від 4.94 грн до 31.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP196WNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP196WNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP196WNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP196WNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP196WNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP196WNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 4621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP196WNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
товар відсутній |