BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFP540FESDH6327XTSA1 за ціною від 11.67 грн до 52.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
товар відсутній |