BFP540H6327XTSA1

BFP540H6327XTSA1 Infineon Technologies


infn_s_a0009651445_1-2271439.pdf Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 11681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP540H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 16dB, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V, Frequency - Transition: 30GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-3D, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFP540H6327XTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP540H6327XTSA1 BFP540H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5fileiddb3a30431400ef6.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній
BFP540H6327XTSA1 BFP540H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS27315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFP540H6327XTSA1 BFP540H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS27315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товар відсутній