Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP640FESDH6327XTSA1
BFP640FESDH6327XTSA1

BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies


infineon_robust_sige_lna_gps_bfp640fesdrev1.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 8B ~ 30.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V, Frequency - Transition: 46GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP640FESDH6327XTSA1 за ціною від 14.51 грн до 41.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS27315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8B ~ 30.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.89 грн
10+ 34.7 грн
25+ 32.35 грн
100+ 24.3 грн
250+ 22.57 грн
500+ 19.09 грн
1000+ 14.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_robust_sige_lna_gps_bfp640fesdrev1.2.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
товар відсутній
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_robust_sige_lna_gps_bfp640fesdrev1.2.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive 4-Pin TSFP T/R
товар відсутній
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_robust_sige_lna_gps_bfp640fesdrev1.2.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
товар відсутній
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS27315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8B ~ 30.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товар відсутній