Продукція > NXP > BFU530AVL
BFU530AVL

BFU530AVL NXP

2353625.pdf Виробник: NXP
Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.66 грн
500+ 14.36 грн
1000+ 9.24 грн
5000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU530AVL NXP

Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BFU530AVL за ціною від 7.69 грн до 36.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFU530AVL BFU530AVL Виробник : NXP Semiconductors BFU530A-3137900.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.45 грн
13+ 24.76 грн
100+ 16.1 грн
500+ 12.66 грн
1000+ 9.74 грн
2500+ 9.28 грн
10000+ 7.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530AVL BFU530AVL Виробник : NXP 2353625.pdf Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.05 грн
27+ 28.17 грн
100+ 18.66 грн
500+ 14.36 грн
1000+ 9.24 грн
5000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
BFU530AVL BFU530AVL Виробник : NXP Semiconductors 2514bfu530a.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530AVL BFU530AVL Виробник : NXP Semiconductors 2514bfu530a.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530AVL BFU530AVL Виробник : NXP USA Inc. BFU530A.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товар відсутній