BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 40A, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BGH40N120HS1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BGH40N120HS1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |