BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 746.68 грн |
2+ | 506.97 грн |
5+ | 479.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 357W, Case: TO247-4, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 308nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 54ns, Turn-off time: 476ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BGH50N65ZF1 за ціною від 553.28 грн до 896.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BGH50N65ZF1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 476ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|