Продукція > ROHM > BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2

BM3G007MUV-LBE2 ROHM


3980113.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1489.61 грн
25+ 1422.21 грн
50+ 1251.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BM3G007MUV-LBE2 ROHM

Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 12ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BM3G007MUV-LBE2 за ціною від 1088.88 грн до 1691.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BM3G007MUV-LBE2 BM3G007MUV-LBE2 Виробник : ROHM 3980113.pdf Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1614.68 грн
10+ 1489.61 грн
25+ 1422.21 грн
50+ 1251.08 грн
BM3G007MUV-LBE2 BM3G007MUV-LBE2 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1691.73 грн
10+ 1481.77 грн
25+ 1248.44 грн
1000+ 1088.88 грн