BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BSD235CH6327XTSA1 за ціною від 4.8 грн до 28.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 40279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 40279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active |
на замовлення 46949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 |
на замовлення 364877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 635 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 Код товару: 118906 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |