на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.4 грн |
9000+ | 5.74 грн |
18000+ | 5.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH202,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 417mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSH202,215 за ціною від 5.02 грн до 32.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSH202,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB Drain current: -330mA On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB Drain current: -330mA On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 417mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET BSH202/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 4203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 417mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BSH202,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSH202,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V |
товар відсутній |