Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO201SPHXUMA1
BSO201SPHXUMA1

BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies

bso201sp_h_1.32.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A Automotive 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm.

Інші пропозиції BSO201SPHXUMA1 за ціною від 43.76 грн до 125.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.89 грн
5000+ 44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.96 грн
5000+ 49.06 грн
10000+ 47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.88 грн
5000+ 52.83 грн
10000+ 51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.75 грн
500+ 56.32 грн
1000+ 47.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+104.28 грн
116+ 100.37 грн
140+ 83.42 грн
250+ 77.55 грн
500+ 62.07 грн
1000+ 47.12 грн
Мінімальне замовлення: 112
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.08 грн
10+ 84.96 грн
100+ 67.62 грн
500+ 53.7 грн
1000+ 45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.22 грн
10+ 96.83 грн
25+ 93.2 грн
100+ 74.69 грн
250+ 66.68 грн
500+ 55.33 грн
1000+ 43.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSO201SP_DS_v01_32_en-1226431.pdf MOSFET P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.63 грн
10+ 93.72 грн
100+ 64.73 грн
500+ 54.6 грн
1000+ 46.31 грн
2500+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+124.13 грн
10+ 95.14 грн
100+ 66.75 грн
500+ 56.32 грн
1000+ 47.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+125.37 грн
102+ 114.5 грн
125+ 93.48 грн
200+ 84.34 грн
1000+ 69.1 грн
2000+ 61.93 грн
Мінімальне замовлення: 93
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO201SPH-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO201SPH-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній