BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 17.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BSO211PHXUMA1 за ціною від 21.5 грн до 22.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSO211PHXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Power dissipation: 1.6W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2453 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||
 |
BSO211PHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BSO211PHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
|
BSO211PHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |