BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 20.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 27.85 грн до 110.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
на замовлення 27485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|