Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP295H6327XTSA1
BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp295_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSP295H6327XTSA1 за ціною від 16.6 грн до 76.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.12 грн
2000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.51 грн
2000+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+22.7 грн
2000+ 20.5 грн
5000+ 17.93 грн
10000+ 16.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.24 грн
500+ 35.5 грн
1000+ 25.91 грн
3000+ 25.4 грн
5000+ 24.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
194+60.53 грн
205+ 57.24 грн
Мінімальне замовлення: 194
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.45 грн
10+ 48.51 грн
100+ 37.74 грн
500+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+65.56 грн
11+ 56.21 грн
25+ 53.15 грн
100+ 38.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP295_DS_v02_03_en-1226422.pdf MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.66 грн
10+ 55.98 грн
100+ 34.35 грн
500+ 28.67 грн
1000+ 23.05 грн
2000+ 21.14 грн
5000+ 20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
174+67.28 грн
205+ 57.23 грн
239+ 49.05 грн
252+ 44.85 грн
500+ 38.83 грн
Мінімальне замовлення: 174
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.32 грн
12+ 64.09 грн
100+ 46.24 грн
500+ 35.5 грн
1000+ 25.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
товар відсутній