BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies


bsp297_rev2.2.pdf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 660mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSP297H6327XTSA1 за ціною від 15.16 грн до 74.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+21.9 грн
2000+ 20.56 грн
5000+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.5 грн
2000+ 22.08 грн
5000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.53 грн
2000+ 22.24 грн
5000+ 21.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+26.68 грн
2000+ 25.01 грн
5000+ 23.64 грн
10000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+28.73 грн
2000+ 26.94 грн
5000+ 25.45 грн
10000+ 24.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.16 грн
25+ 24.56 грн
88+ 23.67 грн
100+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.19 грн
25+ 30.61 грн
88+ 28.4 грн
100+ 27.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+41.22 грн
17+ 35.88 грн
100+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.46 грн
500+ 34.95 грн
1000+ 31.56 грн
3000+ 30.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.73 грн
10+ 43.97 грн
100+ 34.21 грн
500+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
192+60.95 грн
213+ 55 грн
237+ 49.54 грн
245+ 46.07 грн
500+ 40.66 грн
1000+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 192
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP297_DS_v02_02_en-1226465.pdf MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 94127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.34 грн
10+ 53.55 грн
100+ 32.23 грн
500+ 26.95 грн
1000+ 22.26 грн
2000+ 20.01 грн
5000+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+70.89 грн
178+ 65.92 грн
211+ 55.48 грн
224+ 50.59 грн
500+ 46.67 грн
1000+ 40.54 грн
Мінімальне замовлення: 166
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+74.84 грн
12+ 61.8 грн
100+ 44.46 грн
500+ 34.95 грн
1000+ 31.56 грн
3000+ 30.93 грн
Мінімальне замовлення: 10