BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 11.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSP315PH6327XTSA1 за ціною від 16.39 грн до 78.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 997 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 30736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 |
на замовлення 13781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |