BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 11.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 680mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm.
Інші пропозиції BSP316PH6327XTSA1 за ціною від 16.29 грн до 71.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V |
на замовлення 32421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -100V -680mA SOT-223-3 |
на замовлення 46281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -100V Drain current: -680mA On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -100V Drain current: -680mA On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |