Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > BSS123W RFG
BSS123W RFG

BSS123W RFG Taiwan Semiconductor Corporation

BSS123W_A2007.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123W RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 298mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSS123W RFG за ціною від 1.67 грн до 17.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BSS123W_A2007.pdf Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.33 грн
24+ 11.75 грн
100+ 5.72 грн
500+ 4.47 грн
1000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor BSS123W_A2007.pdf MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.37 грн
26+ 11.9 грн
100+ 6.54 грн
1000+ 3.67 грн
9000+ 1.94 грн
24000+ 1.8 грн
45000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor bss123w_a2007.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor bss123w_a2007.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній