BSZ017NE2LS5IATMA1

BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies


Infineon_BSZ017NE2LS5I_DataSheet_v02_01_EN-3160843.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 940-949 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.54 грн
10+ 101.09 грн
100+ 71.26 грн
500+ 58.07 грн
1000+ 47.08 грн
2500+ 46.08 грн
5000+ 43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSZ017NE2LS5IATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99 Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товар відсутній
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99 Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товар відсутній