BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 31.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSZ019N03LSATMA1 за ціною від 40.72 грн до 107.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V |
на замовлення 89383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 17322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ019N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |